14 noiembrie 2026 – Infineon a anunțat pe 9 noiembrie că a procesat dispozitive funcționale de putere pe plachete de carbură de siliciu (SiC) cu diametrul de 300 de milimetri, în fabrica sa din Villach, Austria. Compania descrie reușita drept o premieră realizată într-un mediu de producție semiconductor la scară industrială.
De ce este importantă dimensiunea de 300 mm
În comparație cu plachetele de 200 mm, un wafer de 300 mm oferă o suprafață mai mare pe care pot fi fabricate cipuri. Infineon estimează că noul format poate permite obținerea a aproximativ 2,3 ori mai multe cipuri pe fiecare plachetă, ceea ce ar putea contribui la eficiența producției atunci când procesul va fi maturizat și extins.
Unde sunt folosite cipurile SiC
Carbura de siliciu este un material semiconductor utilizat în electronica de putere. Componentele bazate pe SiC pot fi importante pentru vehicule electrice, infrastructură de încărcare, sisteme industriale, energie regenerabilă și alimentarea centrelor de date. Proprietățile materialului îl fac potrivit pentru aplicații care gestionează tensiuni și temperaturi ridicate.
O etapă de dezvoltare, nu o extindere instantanee
Infineon a precizat că va continua colaborarea cu clienții și partenerii pentru planificarea tehnologiei și a calendarului de creștere a producției pe 300 mm. Compania continuă în paralel foaia de parcurs pentru fabricarea SiC pe 200 mm. Prin urmare, anunțul confirmă fezabilitatea tehnologică, dar nu înseamnă că întreaga producție comercială se mută imediat la noul format.
Mai multe informații despre demonstrația din Austria sunt disponibile în comunicatul oficial Infineon despre waferul SiC de 300 mm. Progresul poate avea efecte pe termen lung asupra costurilor și capacității de producție pentru electronica de putere.
